セッション詳細
[10a-E101-1~11]15.4 III-V族窒化物結晶
2026年9月10日(木) 9:00 〜 12:00
E101 (総合教育棟 E棟)
[10a-E101-1]ELOストライプ特有のInGaN歪緩和機構による発光特性改善検討
〇川口 佳伸1、宇佐川 元久1、武内 一真1、松田 祥伸2、船戸 充2、神川 剛1 (1.京セラ株式会社、2.京大院工)
[10a-E101-2]InGaNレーザ用導波路を用いた電界印加型位相シフタの作製と評価
〇小川 浩輝1、和田 拓巳1、上向井 正裕1、片山 竜二1 (1.阪大院工)
[10a-E101-3]GaN/SiON導波路の異種集積に基づく高出力波長可変単一モード青色モノリシック半導体レーザー
〇森岡 良輔1、岡田 将典1、芹川 昂寛1、橋本 卓弥1、小川 尚史1 (1.日亜化学工業(株))
[10a-E101-4]GaN LD光源一体集積に向けた青色波長帯光フェーズドアレイの開発
〇遠山 健1、芹川 昂寛1、小川 尚史1 (1.日亜化学工業(株))
[10a-E101-5]光集積に向けたGaN可視光変調器の作製と評価
〇伊藤 巧1、岸野 利彦1、中澤 廣宣1、芹川 昂寛1、小川 尚史1 (1.日亜化学工業(株))
[10a-E101-6]AlInN/GaN DBRを有する長共振器VCSELにおける共振波長制御の検討
〇北村 太希1、荒川 将輝1、相馬 晴輝1、柴原 直暉1、禿子 温教1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工)
[10a-E101-7]AlInN下地層を有するGaN系面発光レーザーのその場観察による共振波長制御
〇相馬 晴輝1、荒川 将輝1、北村 太希1、柴原 直暉1、禿子 温教1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、上山 智1 (1.名城大理工)
[10a-E101-8]高密度GaN系面発光レーザアレイにおける熱クロストーク予測手法の構築
〇柴原 直暉1、禿子 温教1、北村 太希1、相馬 晴輝1、上山 智1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1 (1.名城大理工)
[10a-E101-9]熱特性改善による高効率(WPE >32%)高出力(38mW)GaN系面発光レーザーの実証
〇禿子 温教1、柴原 直暉1、北村 太希1、相馬 晴輝1、岩谷 素顕1、上山 智1、竹内 哲也1 (1.名城大理工)
[10a-E101-10]方向制御ポーラスクラッドを用いたInGaN/GaN共振器構造の光励起特性
〇(M1)山口 龍真1、飯島 颯太郎1、菊池 昭彦1,2 (1.上大院理、2.上大半研)
[10a-E101-11]下部空気層を有するGaN/Air-DBR搭載InGaN/GaN薄膜コアレーザの室温光励起発振特性
〇飯島 颯太朗1、山口 龍真1、菊池 昭彦1,2 (1.上智大理工、2.上智大半導体研究所)
