セッション詳細
[10a-E101-1~11]15.4 III-V族窒化物結晶
2026年9月10日(木) 9:00 〜 12:00
E101 (総合教育棟 E棟)
座長:新田 州吾(三重大)、 永松 謙太郎(徳島大)
[10a-E101-1]ELOストライプ特有のInGaN歪緩和機構による発光特性改善検討
〇川口 佳伸1、宇佐川 元久1、武内 一真1、松田 祥伸2、船戸 充2、神川 剛1 (1.京セラ株式会社、2.京大院工)
[10a-E101-3]GaN/SiON導波路の異種集積に基づく高出力波長可変単一モード青色モノリシック半導体レーザー
〇森岡 良輔1、岡田 将典1、芹川 昂寛1、橋本 卓弥1、小川 尚史1 (1.日亜化学工業(株))
[10a-E101-6]AlInN/GaN DBRを有する長共振器VCSELにおける共振波長制御の検討
〇北村 太希1、荒川 将輝1、相馬 晴輝1、柴原 直暉1、禿子 温教1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工)
[10a-E101-7]AlInN下地層を有するGaN系面発光レーザーのその場観察による共振波長制御
〇相馬 晴輝1、荒川 将輝1、北村 太希1、柴原 直暉1、禿子 温教1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、上山 智1 (1.名城大理工)
[10a-E101-8]高密度GaN系面発光レーザアレイにおける熱クロストーク予測手法の構築
〇柴原 直暉1、禿子 温教1、北村 太希1、相馬 晴輝1、上山 智1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1 (1.名城大理工)
[10a-E101-9]熱特性改善による高効率(WPE >32%)高出力(38mW)GaN系面発光レーザーの実証
〇禿子 温教1、柴原 直暉1、北村 太希1、相馬 晴輝1、岩谷 素顕1、上山 智1、竹内 哲也1 (1.名城大理工)
[10a-E101-11]下部空気層を有するGaN/Air-DBR搭載InGaN/GaN薄膜コアレーザの室温光励起発振特性
〇飯島 颯太朗1、山口 龍真1、菊池 昭彦1,2 (1.上智大理工、2.上智大半導体研究所)
