講演情報
[10a-E101-9]熱特性改善による高効率(WPE >32%)高出力(38mW)GaN系面発光レーザーの実証
〇禿子 温教1、柴原 直暉1、北村 太希1、相馬 晴輝1、岩谷 素顕1、上山 智1、竹内 哲也1 (1.名城大理工)
キーワード：
面発光レーザー、VCSEL、長共振器
波長420nmのGaN系面発光レーザーの高効率・出力化を目的に、低抵抗率ITOと長共振器構造を導入し、面内分布も踏まえた総合的な評価を行った。低抵抗率ITO電極と長共振器により光出力の飽和電流値が増大し、我々が知る限り世界最大光出力(38mW)、世界最高電力変換効率(32%)を示した。ウエハ全体でも同様に、性能の向上が存在し、数mmの範囲にわたって効率と光出力を高いレベルで両立する素子が安定して作製できることを実証した。