[10a-E202-1~3] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

11:00 〜 11:15

[10a-E202-1] InP基板上MgSe/ZnCdSe超格子におけるMgSe層厚の評価

〇茂木 英介¹、野村 一郎¹ (1.上智大理工)

キーワード：

II-VI族化合物半導体

デバイス応用に不可欠なMgSe層厚の制御性向上を目的とし、MBE法によりInP基板上にMgSe/ZnCdSe超格子を作製した。SEMを用いた評価により、MgSeの成長時間と層厚間に良好な線形性を確認し、成長レートを0.0187 nm/sと見積もった。またXRDを用いた評価により、2分子層程度の極薄膜でもサテライトピークを観測しており、本手法による優れたMgSe層厚評価および制御性を実証したので報告する。