[10a-E301-1~12] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[10a-E301-4] 酸素欠損蛍石型バッファー層を用いた透明導電性Ta:SrSnO₃エピタキシャル薄膜の合成

〇柴田 悠翔¹、岡 大地¹、廣瀬 靖¹ (1.都立大院理)

キーワード：

パルスレーザー堆積法、エピタキシャル薄膜、ペロブスカイト