2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[10a-E301-1~12]21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2026年9月10日(木) 9:00 〜 12:15
E301 (総合教育棟 E棟)
9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[10a-E301-1]ミスト化学気相堆積法による低接触抵抗アナターゼ型NbドープTiO2薄膜の低温形成

〇川口 智輝1、有賀 恵美1、簾 智仁2、三浦 弓恵2、中山 亮2、中村 吉伸2、清水 亮太3、Htet Su Wai4、川原村 敏幸4、一杉 太郎2、山田 直臣1 (1.中部大院工、2.東大院理、3.分子研、4.高知工大)
9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[10a-E301-2]NbドープTiO2薄膜の輸送特性をラマンスペクトルから予測する

〇(M2)林 鷹河1、川口 智輝1、有賀 恵美1、簾 智仁2、菖蒲 心太郎2、三浦 弓恵2、中山 亮2、中村 吉伸2、清水 亮太3、Htet Su Wai4、川原村 敏幸4、一杉 太郎2、山田 直臣1 (1.中部大院工、2.東大院理、3.分子研、4.高知工科大)
9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[10a-E301-3]エキシマレーザーアニーリングによる導電性Nbドープ酸化スズ薄膜の固相エピタキシー

〇(M2)仲野 由剛1、廣瀬 岳1、金子 智2,1、松田 晃史1 (1.東京科学大学、2.神奈川県産技総研)
9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[10a-E301-4]酸素欠損蛍石型バッファー層を用いた透明導電性Ta:SrSnO3エピタキシャル薄膜の合成

〇柴田 悠翔1、岡 大地1、廣瀬 靖1 (1.都立大院理)
10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[10a-E301-5]Pd/IGZOシナプストランジスタを使った室温H2ガスセンシングとリザーバ動作

〇(D)清水 篤1、井手 啓介1、安倍 勝美1、笹瀬 雅人2、片瀬 貴義1、平松 秀典1、細野 秀雄1、神谷 利夫1 (1.科学大、2.工学院大)
10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[10a-E301-6]Csをドープした酸化チタン薄膜トランジスタの試作と評価

〇宮澤 諒1、髙見 翼1、鈴木 啓太1、三浦 正範1、廣瀬 文彦1 (1.山形大院理工)
10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[10a-E301-7]酸化インジウム薄膜トランジスタの有効チャネル厚さ

〇(M2)赤塚 翔天1、ゲディヤ プラシャント2、曲 勇作2、松尾 保孝2、太田 裕道2 (1.北大院情報、2.北大電子研)
11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[10a-E301-8]溶液燃焼合成法を用いた高誘電率HfO2ゲート絶縁膜による SixSnyO 薄膜トランジスタの高性能化

〇安達 昌平1、Candell Grace P Quino1、Juan Paolo S Bermundo1、浦岡 行治1、原 康祐1 (1.奈良先端大)
11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[10a-E301-9]原子層堆積法を用いた結晶性Al添加In2O3極薄膜の合成と電気的特性

〇長嶋 泰雅1、髙橋 崇典1、星川 輝1、浦岡 行治1、原 康祐1 (1.奈良先端大)
11:30 〜 11:45奨励賞エントリー英語発表

[10a-E301-10]Origin of Thermally Activated Negative Threshold Voltage Overshoot in HfOx/AlOx Gated InOx FETs

〇ZIHHAO DAI1, Kazuki Ishiyama2,3, Xuanhedong Gao1, Chia-Tsong Chen2, Toshifumi Irisawa2, Tatsuro Maeda2, Mitsuru Takenaka1, Kasidit Toprasertpong1 (1.The Univ. of Tokyo, 2.AIST, 3.Nihon Univ.)
11:45 〜 12:00奨励賞エントリー

[10a-E301-11]多結晶Ga添加In2O3チャネル電界効果トランジスタにおける電界効果移動度の温度依存性

〇星川 輝1、髙橋 崇典1、浦岡 行治1 (1.奈良先端大)
12:00 〜 12:15奨励賞エントリー

[10a-E301-12]ナノシート酸化物半導体MOSキャパシタ構造による酸化物/酸化物界面の欠陥評価

〇小笠原 成央1、上沼 睦典2、髙橋 崇典1、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.産総研)
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