講演情報
[10a-E308-4]光支援走査型非線形誘電率顕微鏡によるSiO2/SiC界面における反転層キャリア分布のナノスケール観察
〇井坂 晃大1,2、横田 信英3、山末 耕平2 (1.東北大院工、2.東北大通研、3.静大電研)
キーワード：
走査型非線形誘電率顕微鏡、走査型プローブ顕微鏡、半導体
これまでに我々は，走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）を用いて，絶縁膜-半導体界面特性のナノスケール評価を行ってきた．しかし，従来のSNDMでは，MOSFET動作で重要となる反転層キャリアの挙動や，それに関する界面欠陥特性の観察は困難であった．本研究では，筆者らが開発を進めている光支援SNDMを用いて，SiCの光照射下での局所CV特性測定および微分容量像の観察を行った．その結果，反転層キャリアの挙動の可視化に初めて成功した．