[10a-PA3-1~15] 13.8 光物性・発光デバイス

[10a-PA3-14] Ag₂ZnGeS₄およびCu₂ZnGeS₄半導体結晶の育成と光学的評価

〇黒澤 泰生¹、尾崎 俊二¹ (1.群馬大理工)

キーワード：

半導体

Ⅰ_2-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ₄族化合物のAg₂ZnGeS₄(AZGS)、Cu₂ZnGeS₄(CZGS)は、Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ₂族カルコパイライト構造半導体であるAgGaS₂、CuGaS₂のIII族元素のGaを、それぞれⅡ族のZnとⅣ族のGeで置き換えた化合物と考えることができる。これらの結晶は4元素の化合物であるため、結晶の育成が困難であり報告件数も少ない。そのため、バンドギャップエネルギー(E_g)等の基礎的な物性値がよくわかっていない。今回我々は、AZGS、CZGS半導体バルク結晶を育成し、光吸収測定およびフォトルミネッセンス(PL)測定を行ったので、その結果を報告する。