セッション詳細
[10a-PA3-1~15]13.8 光物性・発光デバイス
2026年9月10日(木) 9:00 〜 10:30
PA3 (第1体育館)
[10a-PA3-2]キュバン型ヨウ化銅(I)錯体を用いた有機ELデバイスの作製と特性評価
〇松本 紡季1、伊藤 杏美1、冨田 亜未1、大川 新1、髙橋 直大1、鬼頭 宏任1、田中 仙君1、大久保 貴志1 (1.近畿大理工)
[10a-PA3-4]YVO4:Yb,Er蛍光体における中間準位を介したEr-Er間エネルギー移動を考慮したアップコンバージョン発光モデルの拡張
〇大西 悠生1、岩渕 浩士1、以倉 達郎1、加藤 有行1 (1.長岡技科大)
[10a-PA3-6]Ce,Mg共添加Y3(Al,Ga)5O12単結晶の発光特性に及ぼすFe,Cr不純物の影響
〇(M2)末積 尚人1,2、鎌田 圭3,4、Gushchina Liudmila3、吉野 将生2,3、石澤 倫2,3、村上 力輝斗4、横田 有為5、吉川 彰2,3,4 (1.東北大工、2.東北大金研、3.株式会社C&A、4.東北大NICHe、5.九大)
[10a-PA3-8]First-Principles Investigation of Defect Luminescence in ZnO Mechanoluminescent Materials
〇(D)guangfa yang1, Reona Omori1, Tomoki Uchiyama1, Ying Chen1, Xu-Guang Zheng1,2, Chao-Nan Xu1 (1.Tohoku University, 2.Saga University)
[10a-PA3-10]PL, PDSによるGaN薄膜に対するプロセスダメージの観測
〇万年 大地1、齋藤 太助2,3、太田 知諭1、山口 智広1、尾沼 猛儀1、角谷 正友3、本田 徹1 (1.工学院大、2.筑波大、3.物材機構)
[10a-PA3-11]GaN系モノリシック集積LEDの微細加工が表面リーク電流に及ぼす影響
〇佐藤 憩1、万年 大地1、木村 真大1、山口 智広1、尾沼 猛儀1、本田 徹1 (1.工学院大)
