[10a-PA4-1~26] 6.2 カーボン系薄膜

[10a-PA4-13] N₂とC₆有機化合物の混合気体の高周波プラズマCVDを用いた高窒素含有a-CN_x:H薄膜の形成と化学結合解析

〇伊藤 治彦¹、鈴木 常生¹、斎藤 秀俊¹ (1.長岡技科大工)

キーワード：

窒化炭素

C₆系有機化合物とN₂との混合気体に対して高周波プラズマCVDを用いることで水素化されたアモルファス窒化炭素薄膜を形成させた。C₆系有機化合物としてベンゼン、n-ヘキサンまたはシクロヘキサンを選択した。これら有機化合物原料の分圧を窒素のそれに対して十分に低く抑制することで、ベンゼンの場合に高い窒素含有率[N]/([N]+[C])=0.39-0.47を達成した。他の原料についても同様であった。さらにXPSのピーク分離解析を行い、これら薄膜の化学結合状態を解析した。