講演情報
[10a-PA4-16]層状窒化炭素薄膜のドーピングとその電子物性評価
〇(B)矢橋 司亥1、羽渕 仁恵1 (1.岐阜高専)
キーワード：
層状窒化炭素薄膜、フォトリソグラフィー、熱化学気相成長法
本研究は熱CVD法で合成した層状窒化炭素(CN)薄膜に不純物をドーピングし､その電気的特性を評価することを目的とする｡フォトリソグラフィーを用いた微細加工技術によりCN薄膜のMOS-FETを作製したが暗状態でのゲート電圧によるドレイン電流の制御が困難であったため､CN薄膜にアルカリ金属塩化物水溶液を用いたドーピングを行った｡当日は､本処理による光透過率スペクトルや導電率の変化について､実験方法および結果について報告する｡