[10a-PB4-1~13] 3.12 半導体光デバイス

[10a-PB4-11] InP/Si 基板上歪量子井戸レーザの低閾値化に関する検討

〇ホルト 瑞樹¹、下村 和彦¹ (1.上智大学理工学部)

キーワード：

半導体、シリコン、レーザ

本稿は、AI処理の拡大に伴う電気配線の限界を背景に、シリコンフォトニクス向けInP/Si基板上量子井戸レーザの低閾値化を検討した。GaInAsP井戸層へ歪を導入した単一量子井戸を数値解析し、HH・LH価電子帯と有効質量を評価。圧縮歪でTEモードに有効なHHが上端となり、有効質量低下により閾値電流密度低減が期待される。特にGa組成を変えて歪量を制御し、引張歪・無歪・圧縮歪のバンド図を詳細に比較した。