セッション詳細
[10a-PB4-1~13]3.12 半導体光デバイス
2026年9月10日(木) 11:00 〜 12:30
PB4 (第2体育館)
[10a-PB4-1]青紫色半導体レーザーによるレーザー核融合実現への挑戦
〇上原 日和1,6、宮嶋 孝夫1、竹内 哲也4、岩見 健太郎5、手島(石井) 美帆1、山岡 義和1、森 芳孝2,3 (1.核融合研、2.(株)EX-Fusion、3.光産業大、4.名城大、5.農工大、6.総研大)
[10a-PB4-2]フォトニック結晶構造を付与した InP/EO ポリマー光変調器における群 屈折率制御と分割電極構造による広帯域化の検討
〇猪飼 建介1,2、藤方 潤一1,2 (1.徳島大院、2.徳島大pLED)
[10a-PB4-3]Si上Geエピタキシャル層を用いた近赤外イメージセンサの作製
〇畑佐 圭亮1、吉野 雄貴1、小椋 亮弥1、Piedra-Lorenzana Jose A.1、野田 佳子1、赤井 大輔1、飛沢 健1、石川 靖彦1 (1.豊橋技科大)
[10a-PB4-4]SOQ上ひずみ増強Ge pin受光器におけるリーク電流の評価
〇石川 涼太1、小椋 亮弥1、松下 宗暉1、濱田 直希1、Piedra-Lorenzana Jose A.1、飛沢 健1、梅沢 俊匡2、山本 直克2、赤羽 浩一2、石川 靖彦1 (1.豊橋技科大、2.NICT)
[10a-PB4-5]単結晶 Te における近赤外フェムト秒パルス誘起ヘリシティ依存光電流
〇宮崎 航平1、宗片 比呂夫1、楠野 楽到1、野本 哲也2、賀川 史敬1,2、佐藤 琢哉1,3 (1.科学大理、2.理研CEMS、3.分子研QuaRC)
[10a-PB4-6]偏波無依存性光トリプレクサを構成する交差光導波路の伝搬特性
〇(M2)秋本 千智1、横井 秀樹1,2 (1.芝浦工大院理工、2.次世代半導体人材育成センター)
[10a-PB4-7]Si導波層を有する磁気光学導波路における非相反移相量の解析
〇(M2)助川 ひなた1、横井 秀樹1,2 (1.芝浦工大院理工、2.次世代半導体人材育成センター)
[10a-PB4-8]利得変調動作する多モード半導体レーザーにおける線幅増大係数のモード依存性
〇田中 矯介1、和田 健司2、松山 哲也1、村井 俊介1、岡本 晃一1、桒島 欣史3 (1.阪公大院工、2.阪公大研究推進、3.追手門学院大理工)
[10a-PB4-9]シリコン基板上GaInAsP/InP量子井戸レーザのpクラッド層の最適化
〇富永 幸輝1、黒井 瑞生1、ホルト 瑞樹1、下村 和彦1 (1.上智大学)
[10a-PB4-10]Lasing Characteristics of 1.5-μm-Band GaInAsP MQW High-Mesa Laser Diodes on Directly Bonded InP/Si Substrate
〇(M1)Zhiyang Sheng1, Shuo Yao1, Shiyao Wei1, Qiguang Jia1, Rong Le1, Mizuki Holt1, Koki Tominaga1, Ruiqi Zhang1, Kazuhiko Shimomura1 (1.Sophia University)
[10a-PB4-11]InP/Si 基板上歪量子井戸レーザの低閾値化に関する検討
〇ホルト 瑞樹1、下村 和彦1 (1.上智大学理工学部)
[10a-PB4-12]InP/Si基板上1.5 μm帯GaInAsP MQWリッジレーザ構造における銀ナノ粒子ボンディングによる発振特性改善
〇楽 榕1、JIA QIGUANG1、SHENG ZHIYANG1、YAO SHUO1、ZHANG RUIQI1、WEI SHIYAO1、SHEN JUNYU1、ホルト 瑞樹1、富永 幸輝1、下村 和彦1 (1.上智大理工)
[10a-PB4-13]InP/Si親水性接合界面におけるボイド形成条件の数値解析
〇(M2)ZHANG RUIQI1 (1.上智大理工)
