講演情報
[10a-S2-1]導電性AFMを用いた単層WSe2中Se欠陥の評価
〇澤井 悠太1,2、張 文金1、榊原 涼太郎1、吉田 昭二3、宮田 耕充1,2 (1.NIMS、2.都立大理、3.筑波大数理物質)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド、点欠陥、導電性原子間力顕微鏡
本発表では、グラファイト基板上にCVD法で合成した単層WSe2を導電性原子間力顕微鏡（CAFM）で観察し、Se欠陥の評価を試みた。CAFMの電流像および走査トンネル顕微鏡観察の結果と第一原理計算との比較から、局所的な伝導度変化の起源がSeの酸素置換であることを特定した。さらに、合成条件によってこれらの欠陥密度が変化することも確認し、TMDにおける欠陥の形成機構の理解と、その制御技術の確立に向けた知見を提供する。