2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)17 ナノカーボン・二次元材料：17.1 成長・成膜・構造制御

[10a-S2-1~11]17.1 成長・成膜・構造制御

2026年9月10日(木) 9:00 〜 12:00
S2 (総合教育棟 S講義棟)
9:00 〜 9:15

[10a-S2-1]導電性AFMを用いた単層WSe2中Se欠陥の評価

〇澤井 悠太1,2、張 文金1、榊原 涼太郎1、吉田 昭二3、宮田 耕充1,2 (1.NIMS、2.都立大理、3.筑波大数理物質)
9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[10a-S2-2]hBN/WSe2の導電性AFMイメージングにおけるhBN膜厚の影響

〇下村 侑生1,2、澤井 悠太1,2、榊原 涼太郎1、渡邊 賢司1、谷口 尚1、吉田 昭二3、宮田 耕充1,2 (1.NIMS、2.都立大理、3.筑波大数理)
9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[10a-S2-3]アモルファスMoS2/モノレイヤーMoS2異相ホモコンタクトトランジスタの実現

〇佐々木 俊哉1、金 美賢1、Fons Paul2、張 文馨3、遠藤 尚彦4、宮田 耕充4、齊藤 雄太1,3,5 (1.東北大院工、2.慶應大理工、3.産総研、4.物材機構、5.東北大GXT)
9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[10a-S2-4]MoS2チャネルへのアモルファスRu-Bコンタクト形成

〇(M1)藤田 香梅1、佐々木 俊哉1、金 美賢1、Sun Tianyishan2、加藤 俊顕2、齊藤 雄太1,3 (1.東北大院工、2.東北大AIMR、3.東北大GXT)
10:00 〜 10:15

[10a-S2-5]固相エピタキシーによるNbSe2/WSe2 van der Waalsコンタクトの形成

〇榊原 涼太郎1、宮田 耕充1 (1.NIMS)
10:15 〜 10:30

[10a-S2-6]スパッタを用いた単層MoS2へのV原子のポストドーピング

〇榊原 涼太郎1、簡 子翔1,2,3、澤井 悠太1,4、張 文豪2,3、宮田 耕充1,4 (1.NIMS、2.陽明交通大、3.中央研究院、4.都立大)
10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[10a-S2-7]多段 TMDC ナノシート構造の一括形成プロセス

〇成 浩1、田邉 真一1、岡田 直也2、入沢 寿史2、三浦 仁嗣1、藁科 尚士1、黄 祐敏1、長坂 恵一1、深澤 篤毅1、前原 大樹1 (1.東京エレクトロン（株）、2.産総研　先端半導体研究センター)
11:00 〜 11:15

[10a-S2-8]厚膜MoS2を用いたソース／ドレイン形成技術

〇岡田 直也1、田邉 真一2、入沢 寿史1、成 浩2、三浦 仁嗣2、長坂 恵一2、深澤 篤毅2、前原 大樹2 (1.産総研 SFRC、2.東京エレクトロン)
11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[10a-S2-9]真空蒸着法によるSnS薄膜の作製と蒸着源組成が結晶配向および電気的特性に及ぼす影響

〇(M1)工藤 清龍1、金 美賢1、野瀬 嘉太郎2、齊藤 雄太1,3 (1.東北大院工、2.甲南大学理工、3.東北大GXT)
11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[10a-S2-10]準安定層状半導体材料GeTe2のp型トランジスタデバイス作製および電極金属の検討

〇(D)加藤 侑1、金 美賢1、齊藤 雄太1,2 (1.東北大院工、2.東北大GXT)
11:45 〜 12:00

[10a-S2-11]準安定層状半導体SiTe2によるトランジスタ機能の発現

〇外池 巧樹1、金 美賢1、齊藤 雄太2,1 (1.東北大院工、2.東北大GXT)
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