講演情報
[10a-S2-5]固相エピタキシーによるNbSe2/WSe2 van der Waalsコンタクトの形成
〇榊原 涼太郎1、宮田 耕充1 (1.NIMS)
キーワード：
2次元半導体、遷移金属ダイカルコゲナイド、透過電子顕微鏡
2次元半導体FETの接触抵抗低減を目的として、NbSe2などの金属層状物質を用いたvan der Waalsコンタクトが注目されている。本研究では、パターン化したNb薄膜のセレン化に基づく固相反応により、WSe2上にNbSe2電極を形成した。通常のリソグラフィー法ではレジスト残渣によりNbSe2/WSe2界面に1 nm以上の空隙が生じる一方で、SiO2ハードマスクを利用することで清浄なvan der Waalsコンタクト界面とNbSe2のエピタキシャル成長を実現した。