講演情報
[10p-A21-13]高電子濃度AlGaN/GaNヘテロ構造における有効質量の評価
〇今中 康貴1、角谷 正友1 (1.NIMS)
キーワード：
AlGaN/GaN、有効質量、サイクロトロン共鳴
我々はこれまでGaNヘテロ構造の二次元電子系の有効質量をサイクロトロン共鳴により高精度に決定してきた。一方で、これまで報告された有効質量の値には大きなばらつきがあり、その起源は主として伝導帯の非放物線性（電子濃度）に起因すると考えられていた。今回高い電子濃度領域での実験を行ったところ、非放物線性から予測される値とは顕著な差異がある結果が得られたので、その起源について検討を行った。