セッション詳細

[10p-A21-1~19]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2026年9月10日(木) 14:00 〜 19:00
A21 (情報研究棟)

[10p-A21-1]GaN-HEMTのUISとCISにおける過電圧ストレスに対する挙動比較

〇齋藤 渉1、西澤 伸一1 (1.九大応力研)

[10p-A21-2]分布型分極ドーピングを用いた耐圧維持層を有するAlN系ショットキーバリアダイオードの超広温度範囲動作

〇佐々木 一晴1、廣⽊ 正伸2、平間 ⼀⾏2、⾕保 芳孝2、前田 拓也1 (1.東大工、2.NTT物性研)

[10p-A21-3]GaN HEMT の RF 大信号動作時のチャネル温度評価

〇久樂 顕1、山口 裕太郎1、坂田 修一1 (1.三菱電機)

[10p-A21-4]GaN HEMTの放熱改善に向けたAlN層間絶縁膜の適用

〇堤 優也1、平崎 貴英1、辻 幸洋1、牧山 剛三1、中田 健1 (1.住友電工)

[10p-A21-5]放熱性のさらなる向上に向けた窒化物半導体薄層/Diamond接合

〇(M2)岩本 晃1、凌 旭良1、重川 直輝1 (1.大阪公大工)

[10p-A21-6]PA-MBE成長ScAlN/GaNヘテロ構造におけるAlN中間層による2DEG移動度向上

〇久保田 航瑛1、若本 裕介1、佐々木 洸1、城谷 光亮1、藤 友哉1、河原 孝彦2、吉田 成輝2、牧山 剛三2、中田 健2、中根 了昌1、前田 拓也1 (1.東大工、2.住友電気工業株式会社)

[10p-A21-7]NbAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ接合における2DEGのShubnikov-de Haas振動

〇若本 裕介1、奥田 朋也2、黒木 颯太2、小林 篤2、前田 拓也1 (1.東大院工、2.理科大院先進工)

[10p-A21-8]N極性GaN HEMTにおける電流コラプスのバッファ不純物濃度依存性

〇早坂 明泰1、矢板 潤也1、吉田 成輝1、日野 眞生1、向井 章1、小谷 淳二1、牧山 剛三1、中田 健1 (1.住友電工)

[10p-A21-9]SiO2パッシベーションを施したN極性GaN/AlGaN/AlN HEMTの高温動作

〇林内 天1、Zazuli Aina Hiyama1、平田 靖晃1、北村 優弥1、倉井 聡1、廣木 正伸2、平間 一行2、谷保 芳孝2、岡田 成仁1 (1.山口大院、2.NTT物性研)

[10p-A21-10]N 極性 GaN-on-Diamond 作製に向けた OVPE-GaN 基板上 GaN エピ層と Diamond 基板の接合検討

〇横山 正史1、飯村 清寿1、森山 達也2、横井 創吾2、宇佐美 茂佳2、今西 正幸2、岩本 晃3、重川 直輝3、滝野 淳一4、隅 智亮4、岡山 芳央4、田中 敦之5、本田 善央5、天野 浩5、森 勇介2 (1.住友化学株式会社、2.大阪大学大学院工学研究科、3.大阪公立大学工学研究科、4.パナソニックホールディングス株式会社、5.名古屋大学未来材料・システム研究所)

[10p-A21-11]歪超格子を用いたSi基板上AlGaN/GaN HEMTにおける縦方向耐圧特性

〇吉野 雅人1、南條 拓真1、古橋 壮之2、綿引 達郎2、江川 孝志1 (1.名古屋工業大学、2.三菱電機 先端総研)

[10p-A21-12]絶縁性GaN基板上AlGaN/GaNヘテロ界面の輸送特性

〇角谷 正友1、増田 礼仁1,2、今中 康貴1、吉川 純1、本田 徹2 (1.物材機構、2.工学院大)

[10p-A21-13]高電子濃度AlGaN/GaNヘテロ構造における有効質量の評価

〇今中 康貴1、角谷 正友1 (1.NIMS)

[10p-A21-14]極薄AlGaN/GaN構造を用いた2DEG濃度制御における構造・プロセス依存性調査

〇(M1)宮崎 奨佑太1、南條 拓真1、古橋 壮之2、綿引 達郎2、久保 俊晴1、江川 孝志1 (1.名工大工、2.三菱総研)

[10p-A21-15]AlGaNキャップ層による電流コラプス現象の抑制メカニズム

〇西村 宗悟1、中里 佑介1、清原 一樹1、三浦 孝祐1、斉藤 貴大1、上田 晋太郎1、吉岡 啓1 (1.東芝デバイス&ストレージ)

[10p-A21-16]ゲート先行プロセスで作製したフィールドプレート付きAlGaN/GaN HEMTの電気的特性

〇藤本 拓也1、安藤 裕二1,2、高橋 英匡1、牧迫 隆太郎1、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

[10p-A21-17]角度分解光電子分光を用いたGaNの価電子帯構造の異方性の解析

〇棟方 晟啓1、武田 崇仁1、佐々木 洸1、中河 義典2、藤森 淳3,4、前田 拓也1、小林 正起1,5 (1.東大院工、2.日亜化学、3.東大理、4.国立清華大、5.東大CSRN)

[10p-A21-18]XPS界面近傍組成に基づくAlGaInN/AlN/GaNヘテロ構造の高濃度2DEG評価

〇脇迫 諒1、山田 悠斗1、田中 敦之2、本田 善央2,3,4、天野 浩2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大Dセンター、4.名大IAR)

[10p-A21-19]X線光電子分光によるAlN/GaN 界面の化学結合状態評価

〇大矢 青空1、今井 友貴1、尾崎 孝太郎1、伊藤 健治2、牧原 克典1 (1.名大院工、2.名大未来材研)