講演情報
[10p-A21-9]SiO2パッシベーションを施したN極性GaN/AlGaN/AlN HEMTの高温動作
〇林内 天1、Zazuli Aina Hiyama1、平田 靖晃1、北村 優弥1、倉井 聡1、廣木 正伸2、平間 一行2、谷保 芳孝2、岡田 成仁1 (1.山口大院、2.NTT物性研)
キーワード：
N極性AlN、高電子移動トランジスタ
本研究では、SiO2パッシベーションを施したN極性GaN/AlGaN/AlN HEMTを作製し、高温環境下での動作を評価した。未処理デバイスでは高温で最大ドレイン電流が急減した一方、SiO2処理により劣化が抑制され、900℃でも特性を維持した。リーク電流の温度依存性から、酸素関連ドナー、フォノン散乱、表面状態変化が動作に影響することが示唆された。今後の高温用HEMT設計に有用な基礎的指針を与える。