[10p-A23-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

18:15 〜 18:30

[10p-A23-16] 電磁界分布計算に基づく活性層位置設計によるGaInNAs三層量子井戸コア–マルチシェルナノワイヤのRT-PL強度

〇中間 海音^1,2、佐野 真浩^1,2、峰久 恵輔^1,2、肥後 昭男³、石川 史太郎¹ (1.北大量集セ、2.北大情科院、3.東京電機大 工)

キーワード：

分子線エピタキシー、ナノワイヤ、気相-液相-固相成長