2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[10p-A23-1~16]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2026年9月10日(木) 14:00 〜 18:30
A23 (情報研究棟)
14:00 〜 14:15

[10p-A23-1]InGaAs メタモルフィック層上における InAs 量子ドットレーザの共振器方向依存性

〇權 晋寛1,2、井上 博輝2、角田 雅弘2、松本 淳1、山本 直克1、赤羽 浩一1、荒川 泰彦2 (1.NICT、2.東大)
14:15 〜 14:30

[10p-A23-2]O-band近傍InAs/GaAs量子ドットレーザの高積層数化による正味モード利得の向上

〇角田 雅弘1、荒川 泰彦1 (1.東大ナノ量子)
14:30 〜 14:45

[10p-A23-3]GaSb/GaAs 量子リング成長の動的モンテカルロ・シミュレーション

〇樗木 悠亮1、岡田 至崇1 (1.東大先端研)
14:45 〜 15:00

[10p-A23-4]サブモノレイヤー積層法における成長中断による量子ディスク作製

〇奥泉 陽斗1、ノエル フォン ヴァッテンヴィル2、シモン レニッシュ1、ロカ ロネル1、神谷 格1 (1.豊田工大、2.チューリッヒ工科大学)
15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[10p-A23-5]Si上のInPナノワイヤ選択成長と評価

〇東 佑樹1、谷山 慶太1、Wei Wen Wong2、本久 順一1、Hark Hoe Tan2、冨岡 克広1 (1.量子集積センター、2.オーストラリア国立大学)
15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[10p-A23-6]InGaAsナノワイヤ選択成長法における熱アニールによる微細化

〇中村 瑠汰1,2、谷山 慶太1,2、東 佑樹1,2、八宮 道馬1,2、冨岡 克広1,2 (1.北海道大学、2.RCIQE)
15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[10p-A23-7]窒素δドーピングが誘起するGaAsナノワイヤ中の特異な格子構造変化

〇佐野 真浩1、峰久 恵輔1、杉原 貫太郎1、橋本 英季1、谷保 芳孝2、平間 一行2、熊倉 一英1、石川 史太郎1 (1.北大量集セ、2.NTT 物性研)
16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[10p-A23-8]GaNAsシェル膜厚を変化させたGaAs/GaNAs/GaAsコア–マルチシェルナノワイヤの歪評価

〇塩見 悠介1,2、佐野 真浩1,2、峰久 恵輔1,2、石川 史太郎1 (1.北大量集セ、2.北大情科院)
16:15 〜 16:30

[10p-A23-9]Room temperature continuous-wave operation of telecom-band nanowire lasers

〇章 国強1,2、Xu Xuejun1、滝口 雅人1,2、後藤 秀樹3,1、眞田 治樹1 (1.NTT物性基礎研、2.NTTナノフォトセンタ、3.広島大)
16:30 〜 16:45

[10p-A23-10]Si基板上のInAsナノワイヤからの横方向成長によるInAs薄膜成長(2)

〇海津 利行1,2、宮下 直也2,1、山口 浩一2,1 (1.電通大量子未来創生デバイス開発センター、2.電通大基盤理工)
16:45 〜 17:00

[10p-A23-11]ドロップレットエッチングを用いたSiOx/Si(111)ウエハ上Pure Zinc-Blende GaAsナノワイヤの自己触媒成長

〇峰久 恵輔1、谷保 芳孝2、平間 一行2、熊倉 一英1、石川 史太郎1 (1.北大量集セ、2.NTT物性研)
17:00 〜 17:15

[10p-A23-12]2インチSiOx/Si(111)ウエハ上自己触媒成長によるZinc-BlendeとWurtzite GaAsナノワイヤの結晶相制御

〇峰久 恵輔1、谷保 芳孝2、平間 一行2、熊倉 一英1、石川 史太郎1 (1.北大量集セ、2.NTT物性研)
17:30 〜 17:45

[10p-A23-13]金属/絶縁体マスクSi上のInGaAsナノワイヤ成長収率向上の検討

〇谷山 慶太1、渡辺 仁1、東 佑樹1、冨岡 克広1 (1.北大院情報科学および量子集積センター)
17:45 〜 18:00

[10p-A23-14]GaAs/GaNAs/GaAsコア-マルチシェルナノワイヤにおける量子井戸数の変化による吸収端波長への影響

〇杉原 貫太郎1,2、峰久 恵輔1,2、佐野 真浩1,2、石川 史太郎2 (1.北大情科院、2.北大量集セ)
18:00 〜 18:15

[10p-A23-15]GaAs/GaNAsBi/AlGaAsコア-マルチシェル量子井戸ナノワイヤの
分子線エピタキシャル成長

〇塩田 佳史1,2、後藤 拓翔1,2、峰久 恵輔1,2、石川 史太郎2 (1.北大情科院、2.北大量集セ)
18:15 〜 18:30

[10p-A23-16]電磁界分布計算に基づく活性層位置設計によるGaInNAs三層量子井戸コア–マルチシェルナノワイヤのRT-PL強度

〇中間 海音1,2、佐野 真浩1,2、峰久 恵輔1,2、肥後 昭男3、石川 史太郎1 (1.北大量集セ、2.北大情科院、3.東京電機大 工)
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