[10p-A23-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

14:15 〜 14:30

[10p-A23-2] O-band近傍InAs/GaAs量子ドットレーザの高積層数化による正味モード利得の向上

〇角田 雅弘¹、荒川 泰彦¹ (1.東大ナノ量子)

キーワード：

量子ドット、分子線エピタキシー