[10p-A23-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[10p-A23-5] Si上のInPナノワイヤ選択成長と評価

〇東 佑樹¹、谷山 慶太¹、Wei Wen Wong²、本久 順一¹、Hark Hoe Tan²、冨岡 克広¹ (1.量子集積センター、2.オーストラリア国立大学)

キーワード：

MOVPE、選択成長、ナノワイヤ