[10p-A23-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[10p-A23-7] 窒素δドーピングが誘起するGaAsナノワイヤ中の特異な格子構造変化

〇佐野 真浩¹、峰久 恵輔¹、杉原 貫太郎¹、橋本 英季¹、谷保 芳孝²、平間 一行²、熊倉 一英¹、石川 史太郎¹ (1.北大量集セ、2.NTT 物性研)

キーワード：

ナノワイヤ、分子線エピタキシー、δドーピング