[10p-B11-1~17] 3.10 フォトニック構造・現象

14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[10p-B11-3] 二接合活性層を有する直径3mmフォトニック結晶レーザーにおける表面電極下部への非放射領域導入による電極遮蔽損失低減

〇(D)奥田 功太郎¹、吉田 昌宏¹、勝野 峻平²、井上 卓也¹、De Zoysa Menaka¹、石崎 賢司²、野田 進^2,1 (1.京大院工、2.京大高等研究院)

キーワード：

フォトニック結晶レーザー、非エルミート結合、複数接合活性層

大面積PCSELにおける表面電極遮蔽損失の低減を目的として、前回、出射光の一部を遮蔽する表面電極を有する直径1mmPCSELに対し、電極下部の非エルミート結合係数μを零とした非放射領域を導入し、遮蔽損失低減による光出力向上を実験的に実証した。今回、この非放射領域を二接合活性層を有する直径3mmPCSELの表面電極下部に導入し、遮蔽損失低減による光出力向上を実験的に実証したので報告する。