講演情報
[10p-B21-7]半導体LSIを使った量子アニーリング機械
〇棚本 哲史1 (1.帝京大理工)
キーワード：
量子アニーリング、フラッシュメモリ、量子ビット
商用化が進む超伝導型に対し、半導体量子ビットは高コストな最先端微細化技術への依存が課題である。本発表では、成熟した既存の商用2D NANDフラッシュメモリ（FG型）の製造プロセスを量子アニーリングマシンへ転用するアーキテクチャを提案する。FGセル間のクーロン相互作用をイジング相互作用として利用し、単一電子領域の縮退点付近で量子ビットを動作させる。今後は最新のFG構造に合わせた設計が課題となる。