[10p-C212-1~18] 3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御

13:30 〜 13:45

[10p-C212-1] イオン注入技術を用いたSiN 膜の光学特性制御

〇和田 涼太¹、香川 和宏¹、内田 裕也¹、黒井 隆¹、松本 武¹ (1.日新イオン機器(株))

キーワード：

イオン注入、導波路、Siフォトニクス

近年、AI普及に伴う消費電力問題からSiフォトニクスが注目されている。その中でも、光の伝搬効率を上げるために導波路やクラッド層の材料を工夫する取り組みが行われている。今回、導波路として期待されるSiN膜にイオン注入を行い、光学特性の変化について調査したので報告する。