講演情報
[10p-C212-8]直接接合InP/Si基板上MOVPE選択成長により作製したリブ導波路型メンブレンレーザの動作実証
〇本間 寛弥1、藤井 拓郎1、佐藤 具就1、松尾 慎治1 (1.NTT 先デ研)
キーワード：
メンブレンレーザ、Si上III-V光デバイス集積、選択成長
AIの普及に伴うデータセンタ内外の通信容量増大に向け、高出力EML光源への応用を目指したリブ導波路型メンブレンレーザを提案した。横型pin接合を形成したInPスラブ上にMOVPE選択成長法を用いて活性層を形成し、新規メンブレン構造を作製した。作製したデバイスでは、共振器長200～600 µmの範囲でエッチドミラーによるファブリ・ペロー発振を用いた室温連続発振を実証するとともに、異なる共振器長において同程度のスロープ効率を確認した。本結果は、選択成長を用いたリブ導波路型メンブレンレーザの実現可能性を示すとともに、メンブレンEML光源への展開に向けた基盤技術となることを示した。