[10p-C309-1~15] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

17:45 〜 18:00

[10p-C309-15] 第一原理計算による3C-SiCのバルクおよび量子ドットにおけるNドーピング特性の比較

〇加賀 俊輔¹、勝俣 裕¹ (1.明大理工)

キーワード：

SiC、SiC量子ドット、第一原理計算