[10p-C309-1~15] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶 | 2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会

〇Rahmat Hadi Saputro¹, Tomo Tanaka², Hiroyuki Ishii¹, Shota Torimoto³, Kaito Shibata³, Yoshiki Kato³, Shigehisa Shibayama³, Masashi Kurosawa³, Osamu Nakatsuka³, Tatsuro Maeda¹ (1.AIST, 2.NEC Corp., 3.Nagoya Univ.)

15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[10p-C309-6]PN接合型Ge_1-xSn_x赤外線検出器の検出特性に及ぼすSi-cap層の影響

〇矢嶋太陽¹、田中朋³、R. H. Saputro⁴、石井裕之⁴、柴山茂久¹、黒澤昌志¹、坂下満男¹、中塚理^1,2、前田辰郎⁴ (1.名大院工、2.名大未来研、3.日本電気、4.産総研)

15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[10p-C309-7]スパッタリング法によるSi基板上への高結晶性Ge_0.80Sn_0.20エピタキシャル成長

〇後藤幸作¹、柴山茂久¹、田中朋²、大森康智²、R. H. Saputro³、石井裕之³、前田辰郎³、坂下満男¹、黒澤昌志¹、中塚理^1,4 (1.名大院工、2.NEC、3.AIST、4.名大未来研)

16:00 〜 16:15

[10p-C309-8]ジルコニウム(Zr)添加ゲルマニウム(Ge)混晶の成長提案

〇(M1)田嶋天晴¹、母良田友¹、川端勇士¹、石川靖彦¹、山根啓輔¹ (1.豊橋技科大工)

16:15 〜 16:30

[10p-C309-9]新規バンドエンジニアリングに向けた高GaSb組成GaGeSb混晶の成長

〇母良田友¹、鈴木風雅¹、川端勇士¹、石川靖彦¹、山根啓輔¹ (1.豊橋技科大工)

16:30 〜 16:45

[10p-C309-10]高速CWレーザーアニール条件が多結晶Ge薄膜の電気特性に及ぼす影響

〇後藤雄太^1,2、松村亮¹、深田直樹^1,2 (1.NIMS、2.筑波大)

16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[10p-C309-11]多結晶Ge薄膜成長における圧力印加効果

〇小川顕¹、野沢公暉¹、清野碩¹、末益崇¹、都甲薫¹ (1.筑波大院)

17:00 〜 17:15

[10p-C309-12]MgO絶縁膜が非晶質Ge薄膜のAu誘起横方向成長に及ぼす影響

〇(B)淵脇悠史¹、山田晴己¹、光永尚人¹、江﨑遥紀¹、高倉健一郎¹、佐道泰造²、角田功¹ (1.熊本高専、2.九州大学)

17:15 〜 17:30奨励賞エントリー

[10p-C309-13]窒素スカベンジングによるSi熱酸化膜上Geナノシート形成

〇(M2)大西孝太朗^1,2、榊原涼太郎¹、宮田耕充¹、細井卓治^1,2 (1.NIMS、2.関学大院理工)

17:30 〜 17:45奨励賞エントリー

[10p-C309-14]合成時のH₂O添加量がメチル基終端ゲルマナンの構造および光学特性に及ぼす影響

〇工藤大夢¹、伊藤佑太^1,2、中嶋海都³、黒澤昌志³、中塚理^3,4、小椋厚志^1,5 (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.名大院工、4.名大未来研、5.明大MREL)

17:45 〜 18:00

[10p-C309-15]第一原理計算による3C-SiCのバルクおよび量子ドットにおけるNドーピング特性の比較

〇加賀俊輔¹、勝俣裕¹ (1.明大理工)

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