講演情報
[10p-E101-10]高Al組成n型分布型分極ドープAlGaNの電子移動度解析
〇川崎 晟也1、廣木 正伸1、平間 一行1、谷保 芳孝1 (1.NTT物性研)
キーワード：
高Al組成AlGaN、分布型分極ドーピング、合金散乱
平均Al組成80%および89%のn型分極ドープAlGaNについて、100-500Kにてホール効果測定を行い、得られた電子移動度の温度依存性について、種々の散乱要因を基にしたモデルを構築し解析した。実験結果は構築したモデルによりよく説明でき、電子移動度は主に合金散乱および極性光学フォノン散乱により制限されることがわかった。加えて、Al組成を高くすることで合金散乱が抑制され、高い移動度を得られることを明らかにした。