セッション詳細
[10p-E101-1~11]強誘電性半導体研究の最前線
2026年9月10日(木) 13:30 〜 18:00
E101 (総合教育棟 E棟)
座長:平永 良臣(東北大)、 小林 篤(東理大)、 谷川 智之(名城大)
[10p-E101-4][第60回講演奨励賞受賞記念講演] サファイア基板上AlGaN系UV-Bレーザーダイオードの室温CW動作実現とその設計指針
〇三宅 倫太郎1、齋藤 巧夢1、神谷 始音1、渡辺 崚太1、北川 賢汰1、谷川 智也1、岩山 章1、三宅 秀人2、難波江 宏一3、神 好人4、寅丸 雅光4、松本 竜弥4、島崎 好広4、鳥居 博典5、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大工、3.ウシオ電機、4.日本製鋼所、5.JSWアフティ)
[10p-E101-5]Three Million Years Opposite State Data Retention in Ferroelectric Nitrides
〇Simon Fichtner1,2 (1.Kiel University, 2.Fraunhofer ISIT)
[10p-E101-7][第60回講演奨励賞受賞記念講演] X線分光測定による新規窒化物電子材料(ScAlN, NbAlN)の表面酸化状態の評価
〇佐々木 洸1、武田 崇仁1、棟方 晟啓1、久保田 航瑛1、城谷 光亮1、藤 友哉1、奥田 朋也2、黒木 颯太2、小林 正起1、藤森 淳1、小林 篤2、中根 了昌1、杉山 正和1、前田 拓也1 (1.東大、2.東京理科大)
[10p-E101-9]窒化物結晶の分極ドーピングを活⽤した電⼦デバイス応⽤
〇本田 善央1,2,3、山田 悠斗4、脇迫 諒4、隈部 岳瑠4、田中 敦之1、久志本 真希4、天野 浩1 (1.名大未来研、2.名大Dセンター、3.名大IAR、4.名大院工)

