セッション詳細

[10p-E101-1~11]強誘電性半導体研究の最前線

2026年9月10日(木) 13:30 〜 18:00
E101 (総合教育棟 E棟)

[10p-E101-1]オープニング・イントロダクション

〇岩谷 素顕1 (1.名城大・理工)

[10p-E101-2]窒化物半導体の進展と展開 ~産総研STRIにおける最近の研究成果~

〇秋山 守人1、平田 研二1、アンガライニ アユ1、上原 雅人1 (1.産総研)

[10p-E101-3]窒化物半導体の自発・圧電分極電荷が光学的・電気的特性に与える影響

〇竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工)

[10p-E101-4][第60回講演奨励賞受賞記念講演] サファイア基板上AlGaN系UV-Bレーザーダイオードの室温CW動作実現とその設計指針

〇三宅 倫太郎1、齋藤 巧夢1、神谷 始音1、渡辺 崚太1、北川 賢汰1、谷川 智也1、岩山 章1、三宅 秀人2、難波江 宏一3、神 好人4、寅丸 雅光4、松本 竜弥4、島崎 好広4、鳥居 博典5、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大工、3.ウシオ電機、4.日本製鋼所、5.JSWアフティ)

[10p-E101-5]Three Million Years Opposite State Data Retention in Ferroelectric Nitrides

〇Simon Fichtner1,2 (1.Kiel University, 2.Fraunhofer ISIT)

[10p-E101-6]強誘電性窒化物半導体の分極制御による光集積デバイス開発

〇片山 竜二1、上向井 正裕1、谷川 智之2 (1.阪大院工、2.名城大理工)

[10p-E101-7][第60回講演奨励賞受賞記念講演] X線分光測定による新規窒化物電子材料(ScAlN, NbAlN)の表面酸化状態の評価

〇佐々木 洸1、武田 崇仁1、棟方 晟啓1、久保田 航瑛1、城谷 光亮1、藤 友哉1、奥田 朋也2、黒木 颯太2、小林 正起1、藤森 淳1、小林 篤2、中根 了昌1、杉山 正和1、前田 拓也1 (1.東大、2.東京理科大)

[10p-E101-8]ZnO薄膜の強誘電性と添加物効果

〇神野 伊策1、グォン サンヒョ1、足立 秀明1 (1.神戸大工)

[10p-E101-9]窒化物結晶の分極ドーピングを活⽤した電⼦デバイス応⽤

〇本田 善央1,2,3、山田 悠斗4、脇迫 諒4、隈部 岳瑠4、田中 敦之1、久志本 真希4、天野 浩1 (1.名大未来研、2.名大Dセンター、3.名大IAR、4.名大院工)

[10p-E101-10]高Al組成n型分布型分極ドープAlGaNの電子移動度解析

〇川崎 晟也1、廣木 正伸1、平間 一行1、谷保 芳孝1 (1.NTT物性研)

[10p-E101-11]クロージング

〇吉村 武1 (1.豊橋技科大)