講演情報
[10p-E101-9]窒化物結晶の分極ドーピングを活⽤した電⼦デバイス応⽤
〇本田 善央1,2,3、山田 悠斗4、脇迫 諒4、隈部 岳瑠4、田中 敦之1、久志本 真希4、天野 浩1 (1.名大未来研、2.名大Dセンター、3.名大IAR、4.名大院工)
キーワード：
窒化物半導体、分極、AlInGaN
多くのワイドギャップ半導体ではp型またはn型伝導性制御が困難であり、特に超ワイドギャップ半導体では伝導性制御自体が課題となる。本報告では、ウルツ鉱型窒化物半導体の自発分極・ピエゾ分極を利用した分布型分極ドーピング（DPD）構造およびAlInGaN混晶ヘテロ構造について述べる。ノンドープDPD型p-nダイオードでは、C-V測定から分極設計に対応するキャリア密度が確認され、良好な整流特性が得られた。さらにAlInGaN混晶の平坦成長を実証し、分極エンジニアリングによる電子デバイス応用の可能性を議論する。