講演情報
[10p-E308-1]温度可変・時間分解SNDMによるSiO2/SiC界面準位の放出時定数スペクトル推定
〇山末 耕平1、長 康雄2 (1.東北大通研、2.東北大NICHe)
キーワード：
走査型非線形誘電率顕微鏡、半導体、SiC
温度制御機構を有する時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）を用いて，熱酸化SiO2/SiC界面のキャリア放出過程を探針下で局所的に測定した。放出過程に含まれる複数の時定数を特異値分解とフィッティングにより抽出し、約0.3〜10 μsにわたる時定数スペクトルと，昇温に伴う短時定数側へのシフトを観測した．ナノスケールで時定数スペクトルとその温度依存性を得られることを示した．