[10p-E308-1~18] 6.6 プローブ顕微鏡

15:30 〜 15:45

[10p-E308-9] n型InAs中単一ドナー電荷状態遷移の走査トンネル分光法による観測

〇蟹澤 聖¹ (1.NTT物性研)

キーワード：

半導体、表面、走査トンネル顕微鏡

n型InAs(110)へき開面において見出した単一ドナー不純物の電荷状態遷移について、走査トンネル分光法により調べた。ドナー電荷状態を律する有効フェルミ準位が、トンネル電子の光学フォノン散乱と衝撃電離による二次電子生成の、2つの非弾性過程により決定されることを明らかにしたので報告する。