[10p-E311-1~13] 7.2 電子ビーム応用

15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[10p-E311-9] 高単色電子ビームに向けたGraphene/h-BN/Nb構造平面型電子源の作製

〇松田 遼^1,2、松崎 功佑²、高島 浩²、村田 博雅²、長尾 昌善²、根尾 陽一郎¹、村上 勝久² (1.静大電研、2.産総研)

キーワード：

電子放出、六方晶窒化ホウ素、グラフェン

高単色電子放出に向け、Graphene/h-BN/Nb構造の平面型電子源を作製した。Nbが持つd軌道由来の鋭い状態密度(DOS)ピークを、放出電子のエネルギー分布へ反映させることを目的とした。作製した素子はゲート電圧15 V印加時に5 A/cm²の大電流密度を達成した。また、13 nmと比較的厚いh-BN絶縁層を用いながらも、半値全幅(FWHM) 0.3 eVの狭いエネルギー分布が得られた。