講演情報
[10p-F211-3]三次元フラッシュメモリ開発におけるウェットプロセスへの分子シミュレーション活用
〇宮田 正靖1 (1.キオクシア先端研)
キーワード：
半導体、分子シミュレーション、ウェットプロセス
本講演では、三次元フラッシュメモリの製造過程におけるウェットプロセス、特にウェットエッチングの重要性と課題、さらにこれに対処するための各種シミュレーション技術、とりわけ分子シミュレーションの活用についての現状を概括し、今後の技術展望を述べる。本講演を通じて、シミュレーション技術の進展と活用技術の革新が、先端半導体の加工限界の打破を達成し、将来にわたって先端半導体の革新を続けるための重要な鍵となることへの理解が深まれば幸いである。