セッション詳細
[10p-F211-1~8]次世代半導体戦略を支える界面ナノ電子化学 ~国際情勢から最新ウエットプロセスまで~
2026年9月10日(木) 13:30 〜 17:00
F211 (フロンティア応用科学研究棟)
[10p-F211-1]半導体で国際情勢を読む
〇太田 泰彦1 (1.北大)
[10p-F211-2]半導体洗浄における物理洗浄技術
〇南 輝臣1、溝田 昌吾1、管野 至1、中森 光則1 (1.東京エレクトロン九州)
[10p-F211-3]三次元フラッシュメモリ開発におけるウェットプロセスへの分子シミュレーション活用
〇宮田 正靖1 (1.キオクシア先端研)
[10p-F211-4]衝突液体噴流を用いた枚葉式ウェハ洗浄における液体置換過程の数値解析
〇(D)美和 誠人1、池ヶ谷 充貴也2、西 智也3、真田 俊之4 (1.静岡大創造、2.静岡大総合、3.荏原製作所、4.静岡大工)
[10p-F211-5]H2プラズマを用いたITO高温加工プロセスの表面反応メカニズム考察
〇鈴木 涼平1、小玉 欣典1、松田 和久1、釘宮 克尚1、萩本 賢哉1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ(株))
[10p-F211-6]枚葉半導体ウェットプロセスでの帯電現象
〇佐藤 雅伸1 (1.SCREENセミコンダクターソリューションズ)
[10p-F211-7]インクジェット方式の半導体ウェット洗浄におけるシリコンウェハ帯電メカニズムの解明
〇土屋 雄貴1、高橋 安徳1、杉浦 浩太2、佐藤 純大2、清家 善之2 (1.リコー、2.愛知工大)
[10p-F211-8]二流体スプレー時のSiO2ウェハの表面状態と表面帯電の関係性
〇佐藤 純大1、杉浦 浩太1、森 竜雄1、一野 祐亮1、清家 善之1 (1.愛知工大)
