2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会

2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会

セッション詳細

シンポジウム(口頭講演)シンポジウム：次世代半導体戦略を支える界面ナノ電子化学～国際情勢から最新ウエットプロセスまで～

[10p-F211-1~8]次世代半導体戦略を支える界面ナノ電子化学～国際情勢から最新ウエットプロセスまで～

2026年9月10日(木) 13:30 〜 17:00

F211 (フロンティア応用科学研究棟)

座長：真田俊之(静大)、清家善之(愛工大)

Sponsors

Tel

13:30 〜 14:00

[10p-F211-1]半導体で国際情勢を読む

〇太田泰彦¹ (1.北大)

14:00 〜 14:30

[10p-F211-2]半導体洗浄における物理洗浄技術

〇南輝臣¹、溝田昌吾¹、管野至¹、中森光則¹ (1.東京エレクトロン九州)

14:30 〜 15:00

[10p-F211-3]三次元フラッシュメモリ開発におけるウェットプロセスへの分子シミュレーション活用

〇宮田正靖¹ (1.キオクシア先端研)

15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[10p-F211-4]衝突液体噴流を用いた枚葉式ウェハ洗浄における液体置換過程の数値解析

〇(D)美和誠人¹、池ヶ谷充貴也²、西智也³、真田俊之⁴ (1.静岡大創造、2.静岡大総合、3.荏原製作所、4.静岡大工)

15:30 〜 15:45

[10p-F211-5]H₂プラズマを用いたITO高温加工プロセスの表面反応メカニズム考察

〇鈴木涼平¹、小玉欣典¹、松田和久¹、釘宮克尚¹、萩本賢哉¹ (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ(株))

15:45 〜 16:15

[10p-F211-6]枚葉半導体ウェットプロセスでの帯電現象

〇佐藤雅伸¹ (1.SCREENセミコンダクターソリューションズ)

16:15 〜 16:45

[10p-F211-7]インクジェット方式の半導体ウェット洗浄におけるシリコンウェハ帯電メカニズムの解明

〇土屋雄貴¹、高橋安徳¹、杉浦浩太²、佐藤純大²、清家善之² (1.リコー、2.愛知工大)

16:45 〜 17:00

[10p-F211-8]二流体スプレー時のSiO₂ウェハの表面状態と表面帯電の関係性

〇佐藤純大¹、杉浦浩太¹、森竜雄¹、一野祐亮¹、清家善之¹ (1.愛知工大)

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