[10p-N101-1~17] CS.8 6.2 カーボン系薄膜、KS1 固体量子センサ研究会のコードシェアセッション

16:45 〜 17:00

[10p-N101-11] 斜入射イオン注入で生成した浅いNV アンサンブル

〇佐々木 健人¹、渡邊 幸志²、寺地 徳之³、谷口 尚³、渡邊 賢司³、小林 研介¹ (1.東大理、2.AIST、3.NIMS)

キーワード：

量子センサ、窒素空孔中心、核磁気共鳴

ナノスケール核磁気共鳴に向け、斜入射窒素イオン注入により浅いNVアンサンブルを作製する方法を提案・実証した。最大約10%の高い変換効率と10 nm未満の有効深さを実現し、六方晶窒化ホウ素中のホウ素核スピン検出に成功した。