[10p-N101-1~17] CS.8 6.2 カーボン系薄膜、KS1 固体量子センサ研究会のコードシェアセッション

17:45 〜 18:00奨励賞エントリー

[10p-N101-14] 大気圧熱処理におけるIV族Vセンター形成の温度依存性評価

〇(M1)梅津 智也^1,2、小野田 忍¹、木村 晃介¹、新谷 一騎^1,2、蓮沼 倫弥^1,2、Biswas Biswajit¹、竹中 康太¹、曾根 逸人² (1.QST、2.群大院理工)

キーワード：

量子材料、IV族V、ダイヤモンド

本発表では、大気圧熱処理におけるIV族Vセンター形成の温度依存性を議論する。
Si、Ge、Snを注入したダイヤモンドに1000℃~1800℃の範囲での大気圧熱処理を行った試料において、Photo Luminesence計測をすることで評価を行い、IV族センター形成に最適な温度を探索を行った。