[10p-N101-1~17] CS.8 6.2 カーボン系薄膜、KS1 固体量子センサ研究会のコードシェアセッション

14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[10p-N101-3] ダイヤモンドマイクロホール構造上に生成した高配向NV中心の配向率マッピング測定

〇(D)伊牟田 航基^1,2,4、及川 耀平^1,2、鈴木 琉生^1,2、林 寛³、徳田 規夫³、渡邊 幸志⁴、早瀬 潤子^1,2 (1.慶大理工、2.慶大CSRN、3.金沢大ARCDia、4.産総研)

キーワード：

量子センサ、NVセンター、高配向

ダイヤモンド中NV中心の高感度磁場センサ応用には、配向方向の揃った高配向NVセンターの生成が重要である。本研究では、{111}面逆ピラミッド型ホールを形成した(001)基板上にCVD成長で生成した高配向NVセンターについて、空間的な配向率分布のマッピングする評価測定手法の測定精度と信頼性を系統的に評価した。さらに、加工手法、成長条件、表面状態、ホール形状がNV特性に与える影響について調査した。