講演情報
[10p-N101-5]エピタキシャル横方向成長法を用いたIr/sapphire基板上ヘテロエピタキシャル成長ダイヤモンド結晶の作製
〇森田 祐輔1、毎田 修1、金 聖祐2、松本 耕季1、市川 修平1、小島 一信1 (1.阪大院工、2.Orbray(株))
キーワード：
ヘテロエピタキシャルダイヤモンド
Ir/sapphire基板上(001)ダイヤモンド結晶成長において、ストライプ状でのエピタキシャル横方向成長による結晶品質の向上を試みた。As-grown表面およびストライプに垂直な断面についてラマン分光評価を行った結果、横方向成長領域において結晶性の向上が確認された。これらの結果から、本成長手法がヘテロエピタキシャル成長ダイヤモンド結晶の高品質化に有効であることが示された。