[10p-N101-1~17] CS.8 6.2 カーボン系薄膜、KS1 固体量子センサ研究会のコードシェアセッション

15:45 〜 16:00

[10p-N101-8] シリコン・リン共添加多結晶CVDダイヤモンド膜の成長と発光特性

〇片宗 優貴¹、堀田 有花¹、井下 智史¹、奥野 宇宙¹、和泉 亮¹ (1.九州工大)

キーワード：

ダイヤモンド、リンドーピング、フォトルミネッセンス

本研究は，量子デバイス応用に向けて，熱フィラメントCVD法によるシリコン・リン共添加多結晶ダイヤモンド膜の作製とSiV⁻センタの発光特性制御を目的とした．固体Si源とトリメチルホスフィンを用いて成膜してPL測定を行った結果，738 nmにSiV⁻発光を確認した．また気相中のリン濃度の増加に伴い発光強度が増大し，リンのドナー効果による電子供与が負電荷状態のSiV⁻センタ形成を促進することが示唆された．