講演情報
[10p-PB1-24]エピタキシャルリフトオフ法を用いた自立型La1.85Sr0.15CuO4メンブレンの剥離プロセスの最適化
〇(M1)入江 志保1、塩貝 純一1,2、山崎 匠3、関 剛斎3,4,5、松野 丈夫1,2 (1.阪大理、2.阪大OTRIスピン、3.東北大金研、4.東北大CSIS、5.東北大SRIS)
キーワード：
薄膜、超伝導、エピタキシャルリフトオフ
Bi系銅酸化物超伝導体では、弱い層間結合を利用した機械的剥離法によりフレーク試料を作製することが可能であり、ツイスト接合などの面内の構造自由度を活用したデバイス研究が盛んに行われている。一方で、本手法をイオン結合性の強い物質群へ適用することは容易ではない。本研究では、La1.85Sr0.15CuO4 (LSCO) のフレーク試料の作製を目的として、エピタキシャルリフトオフ法による剥離プロセスの確立に取り組んだ。