講演情報
[10p-PB1-7]RFマグネトロンスパッタ法によるTiO2(001)基板上VO2薄膜の成長と基板バイアスの効果
〇工藤 圭介1、モハメッド・シュルズ ミヤ1、沖村 邦雄1 (1.東海大院工)
キーワード：
二酸化バナジウム、エピタキシャル成長
二酸化バナジウム(VO2)は室温で単斜晶系の結晶構造を有し, 68℃付近で正方晶系へと結晶構造相転移を起こし，抵抗値が4桁変化する絶縁体-金属転移(IMT)を示す相転移材料である．しかし応用上の課題として，転移温度の制御が挙げられる．本研究ではスパッタ法を用いてTiO2(001)基板上にVO2薄膜を成長させ，室温付近でのIMTの実現に成功した．また深さ方向の化学的な状態の分析を行った．