Presentation Information
[10p-PB1-7]Effect of substrate bias on the growth of VO2 thin films on TiO2(001) substrate by RF magnetron sputtering
〇Keisuke Kudo1, Md. Suruz Mian1, Kunio Okimura1 (1.Tokai Univ.)
Keywords:
VO2,Epitaxial growth
二酸化バナジウム(VO2)は室温で単斜晶系の結晶構造を有し, 68℃付近で正方晶系へと結晶構造相転移を起こし，抵抗値が4桁変化する絶縁体-金属転移(IMT)を示す相転移材料である．しかし応用上の課題として，転移温度の制御が挙げられる．本研究ではスパッタ法を用いてTiO2(001)基板上にVO2薄膜を成長させ，室温付近でのIMTの実現に成功した．また深さ方向の化学的な状態の分析を行った．