[10p-PB1-1~27] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10p-PB1-8] 電圧印加前後のV/TaO_xベーススレッショルドスイッチングメモリスタにおける微細構造および組成分布

〇村田 和真¹、Liao Zih-Siao²、Chen Jen-Sue²、佐藤 幸生¹ (1.熊大半、2.NCKU)

キーワード：

遷移金属酸化物、メモリスタ、透過型電子顕微鏡法

スレッショルドスイッチングメモリスタ(TSM)はニューロンの発火を模した動作によりニューロモルフィックコンピューティングへの活用が期待されている。薄膜の積層構造をとる新規V/TaO_xベースTSMは動作原理が未解明であり、微小領域の構造や組成分布の分析が動作原理解明のカギとなる。本研究では透過型電子顕微鏡法を用いて、電圧印加前後での微細構造および組成分布の差異を解明した。