講演情報
[10p-PB1-9]メモリスタ応用を目指した酸化イットリウムの薄膜成長
〇(B)盛田 晃生1、豊岡 柊人2、高橋 勲3,4、高橋 遼平5、木村 睦5、金子 健太郎3,4 (1.立命大理工、2.近畿大、3.立命大総研、4.立命大半導体応用研究センター、5.龍谷大先端理工)
キーワード：
酸化イットリウム薄膜、メモリスタ、ミストCVD
メモリスタの新材料として当グループは誘電体である酸化イットリウム(Y2O3)に注目している。
本研究ではY2O3の製膜条件を変化させて、その物性評価とメモリスタ応用への可能性を評価した。
膜厚は前駆体溶液中の超純水添加量に対して一定の相関があり、またアモルファス相Y2O3を用いてメモリスタデバイスを作製すると電流-電圧特性でヒステリシスが確認された。
当日は詳細な電気特性について発表を行う。
本研究ではY2O3の製膜条件を変化させて、その物性評価とメモリスタ応用への可能性を評価した。
膜厚は前駆体溶液中の超純水添加量に対して一定の相関があり、またアモルファス相Y2O3を用いてメモリスタデバイスを作製すると電流-電圧特性でヒステリシスが確認された。
当日は詳細な電気特性について発表を行う。