Presentation Information
[10p-PB1-9]Growth of Yttrium oxide thin films applied for memristor
〇(B)Kosei Morita1, Toyooka Shuuto2, Takahashi Isao3,4, Takahashi Ryouhei5, Kimura Mutsumi5, Kaneko kenntaro3,4 (1.Ritsumeikan Univ, 2.kindai Univ, 3.ROST Ritsumeikan Univ, 4.RISA, 5.Ryukoku Univ)
Keywords:
Yttrium Oxide thin film,Memristor,Mist CVD
メモリスタの新材料として当グループは誘電体である酸化イットリウム(Y2O3)に注目している。
本研究ではY2O3の製膜条件を変化させて、その物性評価とメモリスタ応用への可能性を評価した。
膜厚は前駆体溶液中の超純水添加量に対して一定の相関があり、またアモルファス相Y2O3を用いてメモリスタデバイスを作製すると電流-電圧特性でヒステリシスが確認された。
当日は詳細な電気特性について発表を行う。
本研究ではY2O3の製膜条件を変化させて、その物性評価とメモリスタ応用への可能性を評価した。
膜厚は前駆体溶液中の超純水添加量に対して一定の相関があり、またアモルファス相Y2O3を用いてメモリスタデバイスを作製すると電流-電圧特性でヒステリシスが確認された。
当日は詳細な電気特性について発表を行う。