講演情報
[10p-PB3-14]Mn4-xZnxN薄膜のエピタキシャル成長と室温磁化補償の実証
〇小林 蓮1、旗手 蒼1、曽布川 優樹1、秋田 宗志1、雨宮 健太2、末益 崇1 (1.筑波大、2.高エネ研)
キーワード：
マンガン窒化物、磁化補償、X線磁気円二色性
Mn4−xZnxN薄膜をSrTiO3(001)基板上に作製し、構造および磁気特性を評価した。STEM/EDXにより配向性と組成分布を確認し、XAS/XMCD測定からx = 0.1と0.6の間でXMCDスペクトルの符号反転を観測した。これにより、Mn4−xZnxN薄膜における室温磁化補償の可能性を示す。