講演情報
[10p-PB3-33]組成勾配を有する磁性細線メモリにおけるバッファー層の影響
〇(B)田邉 玄晟1、舩江 貴大1、粟野 博之1、田辺 賢士1 (1.豊工大工)
キーワード：
磁性細線メモリ、垂直組成勾配、電流誘起磁壁駆動
磁性細線メモリへの応用が期待される垂直組成勾配GdFe膜(g-GdFe)において、バッファー層(Pt,Ru)の材質と勾配方向が磁気特性に及ぼす影響を調査した。評価の結果、Pt界面での垂直磁気異方性の増強による保磁力の明確な差異や、勾配方向反転に伴うKerr回転角の増加を確認した。当日はこれらの組成勾配膜を細線へと微細加工し、電流誘起磁壁駆動特性に及ぼす影響についても報告する。